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Product Center當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心真空腔體真空腔高溫高密度等離子體腔體
高溫高密度等離子體腔體通常用于制造高真空環(huán)境下的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。這些設(shè)備包括:惰性氣體保護(hù)焊接設(shè)備、電子束物理氣相沉積設(shè)備、分子束外延設(shè)備、離子束蝕刻設(shè)備。除了以上應(yīng)用,真空石英腔體還可以用于制造太陽能電池、光學(xué)儀器和研究天體物理學(xué)等領(lǐng)域
品牌 | 鄭科探 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子,電氣 |
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高溫高密度等離子體腔體是一種石英材料制成的封閉腔室,內(nèi)部常常充滿等離子體氣體。等離子體是一種高溫、高密度的氣體,由帶正電荷的離子和帶負(fù)電荷的電子組成,具有導(dǎo)電性能。這種石英腔可以用于等離子體物理研究、等離子體加工技術(shù)以及材料表面改性等領(lǐng)域。
高溫高密度等離子體腔體可以有效地將等離子體與外界隔離,從而提高等離子體的純度和密度,同時(shí)保護(hù)外部設(shè)備不受等離子體的影響。例如,在半導(dǎo)體制造過程中,石英腔可以通過對氣體進(jìn)行高頻電場激勵來產(chǎn)生等離子體,用于蝕刻、沉積和表面改性等工藝。此外,石英腔還能保持良好的熱穩(wěn)定性和耐腐蝕性,使其能夠在高溫、高壓和高氧化性的環(huán)境下,長期運(yùn)行。
電感耦合等離子(Inductively Coupled Plasma,ICP)和電容耦合等離子(Capacitively Coupled Plasma,CCP)是兩種廣泛用于實(shí)驗(yàn)室中的等離子體源。它們的主要區(qū)別在于它們產(chǎn)生等離子體的機(jī)制和特點(diǎn)。
ICP是在高整流器運(yùn)作的RF(射頻)電源提供的高頻RF(常見頻率是27.12 MHz)的作用下工作的,而這個(gè)RF電源將產(chǎn)生的高頻電場通過感應(yīng)耦合傳送到氣體放電管(都柏林管)內(nèi)。這種電場產(chǎn)生了交變電壓,導(dǎo)致氣體分子發(fā)生電離,產(chǎn)生了等離子體。ICP的優(yōu)點(diǎn)在于它可以產(chǎn)生非常高的電子溫度和較高的等離子體密度,并用于產(chǎn)生高靈敏度的熒光譜檢測。
另一方面,CCP是通過直接應(yīng)用高頻電場在帶電片和反電極之間產(chǎn)生的交變電場來產(chǎn)生等離子體的。這種電場使電極表面產(chǎn)生周期性的荷電狀態(tài)變化,從而促進(jìn)了等離子體的生成。CCP的優(yōu)點(diǎn)是其低能耗和簡單的結(jié)構(gòu),但它通常只能產(chǎn)生低電子溫度和低等離子體密度的等離子體,因此在熒光譜檢測方面使用較少。
因此,這兩種等離子體產(chǎn)生技術(shù)在實(shí)驗(yàn)室中都得到廣泛應(yīng)用,并根據(jù)所需的特定應(yīng)用和實(shí)驗(yàn)室條件進(jìn)行選擇。
技術(shù)規(guī)格參數(shù):
腔體材質(zhì):鋁合金+石英玻璃
腔體尺寸:內(nèi)徑110mmx深度220MM
腔體容積:2.5L
腔體觀察窗:內(nèi)徑φ35 石英玻璃
腔體抽氣口:KF16
腔體進(jìn)氣口:6MM卡套
腔體真空度:機(jī)械泵小于等于0.5Pa